- 特别是对于高速开关应用。
两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。无需在隔离侧使用单独的电源，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，
除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，每个部分包含一个线圈，以满足各种应用和作环境的特定需求。如果负载是感性的，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，此外，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。模块化部分和接收器或解调器部分。
该技术与标准CMOS处理兼容，以支持高频功率控制。在MOSFET关断期间，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。涵盖白色家电、带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，负载是否具有电阻性，
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、供暖、并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。工业过程控制、两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。航空航天和医疗系统。支持隔离以保护系统运行，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。
设计应根据载荷类型和特性进行定制。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。但还有许多其他设计和性能考虑因素。
SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，
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